硅基外延: 材料工程的关键挑战与进展

<p>在硅上外延砷化镓需要克服晶格失配与热膨胀系数差异带来的位错与应力问题。通过缓冲层设计、位错过滤、应变工程与表面处理等一系列材料工程手段, 可以有效控制缺陷密度、提升外延层质量。持续的工艺迭代正在不断缩小硅基与体 GaAs 衬底之间的性能差距, 为产业化落地奠定基础。</p>